無対流 — 融液のなかの熱対流（自然対流）がほぼ起こらなくなり、流れによる温度や濃度の揺らぎが抑えられ、成長界面が安定します。

無沈降 — 比重の異なる成分や微粒子が、重力で分離したり沈んだりしません。

無浮力 — 浮力対流がないため、ドーパントや不純物の偏析が抑えられ、結晶軸の方向にわたって組成の一様性が保たれます。

この「静かな成長場」こそが、地上では届かなかった結晶品質への可能性を引き出します。

✓ 結晶欠陥の極小化

対流による界面の乱れがなくなると、転位や析出物といった欠陥の発生を減らせます。こうした構造欠陥が化合物半導体の性能を決めてしまいます。

✓ 高純度な化合物形成

拡散が律速する安定した成長環境では、不純物の取り込みや偏析が抑えられ、より高純度で組成の揃った化合物結晶が期待できます。

✓ 理論限界への到達

重力を取り除くことは、結晶成長を理想の条件「理論が想定する純粋な系」へ近づけます。地上の量産技術が頭打ちになる領域で、材料が本来もつ物性の限界に到達することができます。