株式会社BEAM TechnologiesとJAXA宇宙探査イノベーションハブは、2026年8月31日より、III-V族化合物半導体GaSb（アンチモン化ガリウム）の結晶成長に関する共同研究を開始しました。本研究では、ISS「きぼう」日本実験棟の温度勾配炉（GHF炉）を用いて微小重力環境下でGaSb種結晶を成長させ、地上で成長させた結晶と比較することで、熱対流の抑制が転位密度や結晶品質に与える効果を定量的に評価します。得られた知見は地上の製造プロセスに応用し、宇宙・防衛分野などの先端デバイスに向けた高品質な化合物半導体基板技術の確立を目指します。
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